反向传输电容(Crss):74.69pF@8V,导通电阻(RDS(on)):30mΩ@4.5V,6A,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):8.11nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):2W,输入电容(Ciss):522.3pF@8V,连续漏极电流(Id):6A,阈值电压(Vgs(th)):1V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 74.69pF@8V | |
导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@4.5V,6A | |
数量 | 2个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 8.11nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
耗散功率(Pd) | 2W | |
输入电容(Ciss) | 522.3pF@8V | |
连续漏极电流(Id) | 6A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.3/个 |
100+ | ¥0.234/个 |
300+ | ¥0.201/个 |
1000+ | ¥0.176/个 |
4000+ | ¥0.156/个 |
8000+ | ¥0.146/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.146
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