射基极击穿电压(Vebo):6V,工作温度:-55℃~+150℃,晶体管类型:NPN,特征频率(fT):100MHz,直流电流增益(hFE):300@300mA,1V,耗散功率(Pd):200mW,集射极击穿电压(Vceo):20V,集射极饱和电压(VCE(sat)):550mV,集电极截止电流(Icbo):0.1uA,集电极电流(Ic):1A
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 三极管(BJT) | |
射基极击穿电压(Vebo) | 6V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
晶体管类型 | NPN | |
特征频率(fT) | 100MHz | |
直流电流增益(hFE) | 300@300mA,1V | |
耗散功率(Pd) | 200mW | |
集射极击穿电压(Vceo) | 20V | |
集射极饱和电压(VCE(sat)) | 550mV | |
集电极截止电流(Icbo) | 0.1uA | |
集电极电流(Ic) | 1A |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.203/个 |
200+ | ¥0.158/个 |
600+ | ¥0.133/个 |
3000+ | ¥0.118/个 |
9000+ | ¥0.105/个 |
21000+ | ¥0.0975/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.10856
3000 PCS/盘
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