反向传输电容(Crss):115pF,导通电阻(RDS(on)):20mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):15nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):620pF,连续漏极电流(Id):7.5A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):1.1V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 620pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.5A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.537/个 |
| 50+ | ¥0.431/个 |
| 150+ | ¥0.378/个 |
| 500+ | ¥0.339/个 |
| 3000+ | ¥0.27/个 |
| 6000+ | ¥0.254/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.2484
3000 PCS/盘
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