反向传输电容(Crss):115pF@10V,导通电阻(RDS(on)):-,工作温度:-,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):15nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):620pF@10V,连续漏极电流(Id):7.5A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):1.1V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 115pF@10V | |
导通电阻(RDS(on)) | - | |
工作温度 | - | |
数量 | 2个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
耗散功率(Pd) | - | |
输入电容(Ciss) | 620pF@10V | |
连续漏极电流(Id) | 7.5A | |
配置 | - | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.541/个 |
50+ | ¥0.436/个 |
150+ | ¥0.383/个 |
500+ | ¥0.343/个 |
3000+ | ¥0.274/个 |
6000+ | ¥0.259/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.25208
3000 PCS/盘
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