反向传输电容(Crss):65pF,导通电阻(RDS(on)):18mΩ@10V,导通电阻(RDS(on)):22mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):6nC@4.5V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道+P沟道,耗散功率(Pd):3.5W,输入电容(Ciss):572pF,输出电容(Coss):134pF,输出电容(Coss):81pF,连续漏极电流(Id):8.8A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):1.5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 3.5W | |
| 输入电容(Ciss) | 572pF | |
| 输出电容(Coss) | 134pF | |
| 输出电容(Coss) | 81pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.8A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.828/个 |
| 50+ | ¥1.5/个 |
| 150+ | ¥1.36/个 |
| 500+ | ¥1.185/个 |
| 3000+ | ¥0.906/个 |
| 6000+ | ¥0.859/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.83352
3000 PCS/盘
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