反向传输电容(Crss):56pF@15V,导通电阻(RDS(on)):16mΩ@10V,12A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):5.5nC@4.5V,漏源电压(Vdss):40V,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):593pF@15V,连续漏极电流(Id):-,阈值电压(Vgs(th)):2V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 56pF@15V | |
导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V,12A | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 5.5nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 40V | |
耗散功率(Pd) | - | |
输入电容(Ciss) | 593pF@15V | |
连续漏极电流(Id) | - | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥2.0904/个 |
10+ | ¥1.647/个 |
30+ | ¥1.457/个 |
100+ | ¥1.22/个 |
500+ | ¥1.114/个 |
1000+ | ¥1.0117/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.933
2500 PCS/盘
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