工作温度:-65℃~+150℃,晶体管类型:PNP,特征频率(fT):150MHz,直流电流增益(hFE):100@10mA,1V,耗散功率(Pd):250mW,集射极击穿电压(Vceo):40V,集射极饱和电压(VCE(sat)):250mV,集电极截止电流(Icbo):50nA,集电极电流(Ic):100mA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 三极管(BJT) | |
工作温度 | -65℃~+150℃ | |
晶体管类型 | PNP | |
特征频率(fT) | 150MHz | |
直流电流增益(hFE) | 100@10mA,1V | |
耗散功率(Pd) | 250mW | |
集射极击穿电压(Vceo) | 40V | |
集射极饱和电压(VCE(sat)) | 250mV | |
集电极截止电流(Icbo) | 50nA | |
集电极电流(Ic) | 100mA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.069/个 |
500+ | ¥0.0525/个 |
3000+ | ¥0.0434/个 |
6000+ | ¥0.0379/个 |
24000+ | ¥0.0331/个 |
51000+ | ¥0.0305/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.03993
3000 PCS/盘
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