导通电阻(RDS(on)):85mΩ@4.5V,1A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,漏源电压(Vdss):18V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):1.25W,连续漏极电流(Id):2.8A,阈值电压(Vgs(th)):0.7V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@4.5V,1A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 18V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.8A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 0.7V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.232/个 |
| 100+ | ¥0.182/个 |
| 300+ | ¥0.157/个 |
| 3000+ | ¥0.138/个 |
| 6000+ | ¥0.122/个 |
| 9000+ | ¥0.115/个 |
| 21000+ | ¥0.113/个 |
| 39000+ | ¥0.112/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.12696
3000 PCS/盘
嘉立创补贴8%
一盘能省掉33.12元