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SI1024X-T1-GE3
扩展库- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 厂家型号
- SI1024X-T1-GE3
- 商品编号
- C86784
- 商品封装
- SOT-563
- 商品毛重
- 0.000052千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):225pF@10V,导通电阻(RDS(on)):1.25Ω@1.8V,350mA,工作温度:-55℃~+150℃,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):750pC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):145mW,输入电容(Ciss):75pF@10V,连续漏极电流(Id):600mA,阈值电压(Vgs(th)):0.9V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.25Ω@1.8V,350mA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 750pC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 145mW | |
| 输入电容(Ciss) | 75pF@10V | |
| 连续漏极电流(Id) | 600mA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 0.9V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
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| 50+ | ¥1.368/个 |
| 150+ | ¥1.195/个 |
| 500+ | ¥0.98/个 |
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| 6000+ | ¥0.826/个 |
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