反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):-,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):250mW,输入电容(Ciss):-,连续漏极电流(Id):700mA,阈值电压(Vgs(th)):3V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | - | |
导通电阻(RDS(on)) | - | |
工作温度 | - | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | - | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
耗散功率(Pd) | 250mW | |
输入电容(Ciss) | - | |
连续漏极电流(Id) | 700mA | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.181/个 |
200+ | ¥0.141/个 |
600+ | ¥0.118/个 |
3000+ | ¥0.107/个 |
9000+ | ¥0.095/个 |
21000+ | ¥0.0887/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.09844
3000 PCS/盘
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