反向传输电容(Crss):70pF@15V,导通电阻(RDS(on)):80mΩ@4.5V,3.3A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:2个N沟道+2个P沟道,栅极电荷量(Qg):12.7nC,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):0.95W,输入电容(Ciss):670pF@15V,连续漏极电流(Id):4.1A,连续漏极电流(Id):3.36A,配置:全桥,阈值电压(Vgs(th)):3V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 70pF@15V | |
导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@4.5V,3.3A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 2个N沟道+2个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 12.7nC | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
耗散功率(Pd) | 0.95W | |
输入电容(Ciss) | 670pF@15V | |
连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
连续漏极电流(Id) | 3.36A | |
配置 | 全桥 | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥3.41/个 |
10+ | ¥3.36/个 |
30+ | ¥3.32/个 |
100+ | ¥3.28/个 |
102+ | ¥3.28/个 |
104+ | ¥3.28/个 |
整盘
单价
整盘单价¥3.0176
2500 PCS/盘
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