反向传输电容(Crss):115pF,导通电阻(RDS(on)):17mΩ@4.5V,10A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):16nC@15V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):2.5W,输入电容(Ciss):1205pF@15V,连续漏极电流(Id):11A,阈值电压(Vgs(th)):1.9V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@4.5V,10A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@15V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 输入电容(Ciss) | 1205pF@15V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥4.56/个 |
| 10+ | ¥3.63/个 |
| 30+ | ¥3.16/个 |
| 100+ | ¥2.7/个 |
| 500+ | ¥2.43/个 |
| 1000+ | ¥2.29/个 |
整盘
单价
整盘单价¥2.281
2500 PCS/盘
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