反向传输电容(Crss):160pF,导通电阻(RDS(on)):9.5mΩ@10V,12.5A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):23nC@15V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):2.5W,输入电容(Ciss):1620pF@15V,连续漏极电流(Id):12.5A,阈值电压(Vgs(th)):2V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 160pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 9.5mΩ@10V,12.5A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 23nC@15V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
耗散功率(Pd) | 2.5W | |
输入电容(Ciss) | 1620pF@15V | |
连续漏极电流(Id) | 12.5A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥6.84/个 |
10+ | ¥5.69/个 |
30+ | ¥5.06/个 |
100+ | ¥4.34/个 |
500+ | ¥4.02/个 |
1000+ | ¥3.88/个 |
整盘
单价
整盘单价¥3.5696
2500 PCS/盘
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