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FDS6680A
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- FDS6680A
- 商品编号
- C87668
- 商品封装
- SO-8
- 商品毛重
- 0.00012千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):160pF,导通电阻(RDS(on)):9.5mΩ@10V,12.5A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):23nC@15V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):2.5W,输入电容(Ciss):1620pF@15V,连续漏极电流(Id):12.5A,阈值电压(Vgs(th)):2V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 160pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.5mΩ@10V,12.5A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@15V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 输入电容(Ciss) | 1620pF@15V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12.5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥5.15/个 |
| 10+ | ¥4.18/个 |
| 30+ | ¥3.69/个 |
| 100+ | ¥3.21/个 |
| 500+ | ¥2.92/个 |
| 1000+ | ¥2.77/个 |
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