反向传输电容(Crss):200pF@100V,导通电阻(RDS(on)):650mΩ@10V,8A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):43nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):106W,输入电容(Ciss):-,连续漏极电流(Id):12A,阈值电压(Vgs(th)):5V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 200pF@100V | |
导通电阻(RDS(on)) | 650mΩ@10V,8A | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 43nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
耗散功率(Pd) | 106W | |
输入电容(Ciss) | - | |
连续漏极电流(Id) | 12A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥7.19/个 |
10+ | ¥6.07/个 |
50+ | ¥4.65/个 |
100+ | ¥3.95/个 |
500+ | ¥3.64/个 |
1000+ | ¥3.5/个 |
整盘
单价
整盘单价¥4.278
50 PCS/盘
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