反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):1.1Ω@10V,7A,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):-,连续漏极电流(Id):7A,阈值电压(Vgs(th)):-
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | - | |
导通电阻(RDS(on)) | 1.1Ω@10V,7A | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | - | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
耗散功率(Pd) | - | |
输入电容(Ciss) | - | |
连续漏极电流(Id) | 7A | |
阈值电压(Vgs(th)) | - |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥5.197/个 |
10+ | ¥4.152/个 |
50+ | ¥3.62/个 |
100+ | ¥3.107/个 |
500+ | ¥2.793/个 |
1000+ | ¥2.632/个 |
整盘
单价
整盘单价¥3.3304
50 PCS/盘
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