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13N10-VB
扩展库- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 厂家型号
- 13N10-VB
- 商品编号
- C878836
- 商品封装
- ITO-220AB-3
- 商品毛重
- 0.00323千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):110pF@25V,导通电阻(RDS(on)):127mΩ@10V,20A,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):100V,耗散功率(Pd):3.75W,输入电容(Ciss):1300pF@25V,连续漏极电流(Id):18A,阈值电压(Vgs(th)):4V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF@25V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 127mΩ@10V,20A | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.75W | |
| 输入电容(Ciss) | 1300pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥3.525/个 |
| 10+ | ¥2.822/个 |
| 50+ | ¥2.242/个 |
| 100+ | ¥1.872/个 |
| 500+ | ¥1.701/个 |
| 1000+ | ¥1.596/个 |
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