工作温度:-,晶体管类型:PNP,特征频率(fT):120MHz,直流电流增益(hFE):180@500mA,2V,耗散功率(Pd):1W,集射极击穿电压(Vceo):20V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1V,集电极截止电流(Icbo):500nA,集电极电流(Ic):5A
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 三极管(BJT) | |
工作温度 | - | |
晶体管类型 | PNP | |
特征频率(fT) | 120MHz | |
直流电流增益(hFE) | 180@500mA,2V | |
耗散功率(Pd) | 1W | |
集射极击穿电压(Vceo) | 20V | |
集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1V | |
集电极截止电流(Icbo) | 500nA | |
集电极电流(Ic) | 5A |