反向传输电容(Crss):73pF@15V,导通电阻(RDS(on)):4mΩ@10V,11A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):6.8nC@5V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):820pF@15V,连续漏极电流(Id):18A,阈值电压(Vgs(th)):3V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 73pF@15V | |
导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V,11A | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 6.8nC@5V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
耗散功率(Pd) | - | |
输入电容(Ciss) | 820pF@15V | |
连续漏极电流(Id) | 18A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥1.42/个 |
10+ | ¥1.386/个 |
30+ | ¥1.369/个 |
100+ | ¥1.343/个 |
102+ | ¥1.343/个 |
104+ | ¥1.343/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.325
4000 PCS/盘
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