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STS4NF100-VB
扩展库- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 厂家型号
- STS4NF100-VB
- 商品编号
- C878886
- 商品封装
- SO-8
- 商品毛重
- 0.00016千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):40mΩ@10V,6.4A,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):100V,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):-,连续漏极电流(Id):6.4A,阈值电压(Vgs(th)):-
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V,6.4A | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.4A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
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