反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):10mΩ@10V,100A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):105nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):250W,输入电容(Ciss):-,连续漏极电流(Id):100A,阈值电压(Vgs(th)):4V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V,100A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 105nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥10.507/个 |
| 10+ | ¥9.044/个 |
| 50+ | ¥7.0015/个 |
| 100+ | ¥6.0705/个 |
| 500+ | ¥5.643/个 |
| 1000+ | ¥5.463/个 |
整盘
单价
整盘单价¥6.44138
50 PCS/盘
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