反向传输电容(Crss):185pF@15V,导通电阻(RDS(on)):35mΩ@10V,6.3A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:2个P沟道,栅极电荷量(Qg):15nC@4.5V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):5W,输入电容(Ciss):1.35nF@15V,连续漏极电流(Id):7.3A,阈值电压(Vgs(th)):-
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 185pF@15V | |
导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@10V,6.3A | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
数量 | 2个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
耗散功率(Pd) | 5W | |
输入电容(Ciss) | 1.35nF@15V | |
连续漏极电流(Id) | 7.3A | |
阈值电压(Vgs(th)) | - |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥1.52/个 |
10+ | ¥1.49/个 |
30+ | ¥1.47/个 |
100+ | ¥1.45/个 |
102+ | ¥1.45/个 |
104+ | ¥1.45/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.334
4000 PCS/盘
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