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2N7002KB-VB
扩展库- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 厂家型号
- 2N7002KB-VB
- 商品编号
- C879131
- 商品封装
- SOT-23(TO-236)
- 商品毛重
- 0.000044千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):2pF@25V,导通电阻(RDS(on)):2.8Ω@10V,200mA,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):300mW,输入电容(Ciss):25pF@25V,连续漏极电流(Id):250mA,阈值电压(Vgs(th)):2.5V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF@25V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8Ω@10V,200mA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 输入电容(Ciss) | 25pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 250mA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
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