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FDB12N50F-VB
扩展库- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 厂家型号
- FDB12N50F-VB
- 商品编号
- C879168
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 商品毛重
- 0.00223千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):8pF,导通电阻(RDS(on)):0.65Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):48nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):156W,输入电容(Ciss):800pF,输出电容(Coss):70pF,连续漏极电流(Id):12A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):5V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.65Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 156W | |
| 输入电容(Ciss) | 800pF | |
| 输出电容(Coss) | 70pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥10.089/个 |
| 10+ | ¥7.701/个 |
| 50+ | ¥6.06/个 |
| 100+ | ¥5.31/个 |
| 500+ | ¥4.973/个 |
| 1000+ | ¥4.823/个 |
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