反向传输电容(Crss):30pF,导通电阻(RDS(on)):0.13Ω@10V,5A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):21nC@80V,漏源电压(Vdss):100V,耗散功率(Pd):50W,输入电容(Ciss):460pF,连续漏极电流(Id):13A,阈值电压(Vgs(th)):2V
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 30pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.13Ω@10V,5A | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 21nC@80V | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
耗散功率(Pd) | 50W | |
输入电容(Ciss) | 460pF | |
连续漏极电流(Id) | 13A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
梯度 | 售价 |
---|---|
1+ | ¥4.17/个 |
10+ | ¥3.69/个 |
30+ | ¥3.44/个 |
100+ | ¥3.2/个 |
500+ | ¥3.06/个 |
1000+ | ¥2.98/个 |
整盘
单价
整盘单价¥2.862
2500 PCS/盘
嘉立创补贴3.96%
一盘能省掉295元