反向传输电容(Crss):52pF@10V,导通电阻(RDS(on)):140mΩ@2.5V,1A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):4.4nC@10V,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):400pF@10V,连续漏极电流(Id):-,阈值电压(Vgs(th)):0.5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 52pF@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ@2.5V,1A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.4nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 400pF@10V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 0.5V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.63/个 |
| 50+ | ¥0.5/个 |
| 150+ | ¥0.436/个 |
| 500+ | ¥0.387/个 |
| 3000+ | ¥0.306/个 |
| 6000+ | ¥0.286/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.286
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