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IPD068N10N3G
扩展库- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 厂家型号
- IPD068N10N3G
- 商品编号
- C88066
- 商品封装
- TO-252-3
- 商品毛重
- 0.000481千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):25pF,导通电阻(RDS(on)):6.8mΩ@10V,90A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):51nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):150W,输入电容(Ciss):3690pF,输出电容(Coss):646pF,连续漏极电流(Id):90A,阈值电压(Vgs(th)):3.5V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.8mΩ@10V,90A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 51nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 输入电容(Ciss) | 3690pF | |
| 输出电容(Coss) | 646pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥6.56/个 |
| 10+ | ¥5.32/个 |
| 30+ | ¥4.7/个 |
| 100+ | ¥3.67/个 |
| 500+ | ¥3.3/个 |
| 1000+ | ¥3.11/个 |
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