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2N7002KD
扩展库- 品牌名称
- FUXINSEMI(富芯森美)
- 厂家型号
- 2N7002KD
- 商品编号
- C880912
- 商品封装
- SOT-363
- 商品毛重
- 0.000029千克(kg)
- 包装方式
- 编带
商品参数
反向传输电容(Crss):10pF@10V,导通电阻(RDS(on)):5.3Ω@4.5V,0.2A,工作温度:-,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):0.15W,输入电容(Ciss):40pF@10V,连续漏极电流(Id):0.34A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.3Ω@4.5V,0.2A | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 0.15W | |
| 输入电容(Ciss) | 40pF@10V | |
| 连续漏极电流(Id) | 0.34A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
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|---|---|
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