反向传输电容(Crss):0.88pF@100V,导通电阻(RDS(on)):270mΩ@10V,8.5A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):42.95nC@10V,漏源电压(Vdss):800V,耗散功率(Pd):151W,输入电容(Ciss):1.8309nF@100V,连续漏极电流(Id):17A,阈值电压(Vgs(th)):5V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 0.88pF@100V | |
导通电阻(RDS(on)) | 270mΩ@10V,8.5A | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 42.95nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 800V | |
耗散功率(Pd) | 151W | |
输入电容(Ciss) | 1.8309nF@100V | |
连续漏极电流(Id) | 17A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥11.91/个 |
10+ | ¥10.1/个 |
30+ | ¥8.97/个 |
90+ | ¥7.81/个 |
510+ | ¥7.29/个 |
990+ | ¥7.06/个 |
2010+ | ¥6.97/个 |
3990+ | ¥6.91/个 |
整盘
单价
整盘单价¥8.2524
30 PCS/盘
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