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BSH111BKR
扩展库- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 厂家型号
- BSH111BKR
- 商品编号
- C88712
- 商品封装
- SOT-23
- 商品毛重
- 0.000035千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):7pF@30V,导通电阻(RDS(on)):4Ω@4.5V,200mA,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):0.5nC@4.5V,漏源电压(Vdss):55V,耗散功率(Pd):364mW,输入电容(Ciss):30pF@30V,连续漏极电流(Id):210mA,阈值电压(Vgs(th)):1.3V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF@30V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4Ω@4.5V,200mA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 0.5nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 耗散功率(Pd) | 364mW | |
| 输入电容(Ciss) | 30pF@30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 210mA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.595/个 |
| 50+ | ¥0.478/个 |
| 150+ | ¥0.42/个 |
| 500+ | ¥0.377/个 |
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| 6000+ | ¥0.312/个 |
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