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NSVJ6904DSB6T1G
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- NSVJ6904DSB6T1G
- 商品编号
- C889828
- 商品封装
- CPH-6
- 商品毛重
- 0.00025千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
FET类型:N沟道,反向传输电容(Crss):2.3pF,导通电阻(RDS(on)):-,工作温度:-55℃~+150℃,数量:2个N沟道,栅源击穿电压(Vgss):25V,栅源截止电压(VGS(off)):600mV,漏源电流(Idss):20mA,耗散功率(Pd):700mW,输入电容(Ciss):6pF,输出电容(Coss):-,配置:-
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| FET类型 | N沟道 | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.3pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | 25V | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | 600mV | |
| 漏源电流(Idss) | 20mA | |
| 耗散功率(Pd) | 700mW | |
| 输入电容(Ciss) | 6pF | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 配置 | - |
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