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SI4532DY
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- SI4532DY
- 商品编号
- C889875
- 商品封装
- SOIC-8
- 商品毛重
- 0.000204千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
导通电阻(RDS(on)):65mΩ@10V,3.9A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):15nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):900mW,输入电容(Ciss):235pF@10V,连续漏极电流(Id):3.9A,连续漏极电流(Id):3.5A,阈值电压(Vgs(th)):3V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@10V,3.9A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW | |
| 输入电容(Ciss) | 235pF@10V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.9A | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥5.65/个 |
| 10+ | ¥5.52/个 |
| 30+ | ¥5.43/个 |
| 100+ | ¥5.35/个 |
| 102+ | ¥5.35/个 |
| 104+ | ¥5.35/个 |
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