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2SK545-11D-TB-E
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- 2SK545-11D-TB-E
- 商品编号
- C890130
- 商品封装
- TO-236-3(SOT-23-3)
- 商品毛重
- 0.000034千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
FET类型:N沟道,反向传输电容(Crss):0.7pF,导通电阻(RDS(on)):-,工作温度:-55℃~+125℃,数量:1个N沟道,栅源击穿电压(Vgss):40V,栅源截止电压(VGS(off)):1.2V,漏源电流(Idss):95uA,耗散功率(Pd):100mW,输入电容(Ciss):1.7pF,输出电容(Coss):-,配置:-
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| FET类型 | N沟道 | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.7pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+125℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | 40V | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | 1.2V | |
| 漏源电流(Idss) | 95uA | |
| 耗散功率(Pd) | 100mW | |
| 输入电容(Ciss) | 1.7pF | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 配置 | - |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.83/个 |
| 50+ | ¥1.435/个 |
| 150+ | ¥1.265/个 |
| 500+ | ¥1.0533/个 |
| 3000+ | ¥0.959/个 |
| 6000+ | ¥0.903/个 |
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