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MVMBF0201NLT1G
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- MVMBF0201NLT1G
- 商品编号
- C891846
- 商品封装
- SOT-23
- 商品毛重
- 0.00003千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):5pF,导通电阻(RDS(on)):0.75Ω@10Vdc,导通电阻(RDS(on)):1Ω@4.5Vdc,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):1400pC,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):225mW,输入电容(Ciss):45pF@5V,输出电容(Coss):25pF,连续漏极电流(Id):300mA,阈值电压(Vgs(th)):2.4V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.75Ω@10Vdc | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@4.5Vdc | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1400pC | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 225mW | |
| 输入电容(Ciss) | 45pF@5V | |
| 输出电容(Coss) | 25pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.4/个 |
| 10+ | ¥1.86/个 |
| 30+ | ¥1.63/个 |
| 100+ | ¥1.34/个 |
| 500+ | ¥1.21/个 |
| 1000+ | ¥1.14/个 |
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