反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):21mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):8nC,漏源电压(Vdss):20V,类型:-,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):650pF,输出电容(Coss):-,连续漏极电流(Id):7A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):1.1V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | - | |
导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 8nC | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
类型 | - | |
耗散功率(Pd) | - | |
输入电容(Ciss) | 650pF | |
输出电容(Coss) | - | |
连续漏极电流(Id) | 7A | |
配置 | - | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.443/个 |
100+ | ¥0.348/个 |
300+ | ¥0.3/个 |
3000+ | ¥0.265/个 |
6000+ | ¥0.236/个 |
9000+ | ¥0.222/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.2438
3000 PCS/盘
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