SMMBF4393LT1G实物图
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SMMBF4393LT1G

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品牌名称
onsemi(安森美)
厂家型号
SMMBF4393LT1G
商品编号
C894334
商品封装
SOT-23
商品毛重
0.000494千克(kg)
包装方式
编带
ECCN
EAR99

商品参数

FET类型:N沟道,反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):100Ω,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅源击穿电压(Vgss):30V,栅源截止电压(VGS(off)):-,漏源电流(Idss):30mA,耗散功率(Pd):225mW,输入电容(Ciss):14pF,输出电容(Coss):-,配置:-

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属性参数值其他
商品目录结型场效应管(JFET)
FET类型N沟道
反向传输电容(Crss)-
导通电阻(RDS(on))100Ω
工作温度-55℃~+150℃
数量1个N沟道
栅源击穿电压(Vgss)30V
栅源截止电压(VGS(off))-
漏源电流(Idss)30mA
耗散功率(Pd)225mW
输入电容(Ciss)14pF
输出电容(Coss)-
配置-

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