FET类型:N沟道,反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):12Ω,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅源击穿电压(Vgss):25V,栅源截止电压(VGS(off)):2V,漏源电流(Idss):40mA,耗散功率(Pd):625mW,输入电容(Ciss):-,输出电容(Coss):-,配置:-
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| FET类型 | N沟道 | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12Ω | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | 25V | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | 2V | |
| 漏源电流(Idss) | 40mA | |
| 耗散功率(Pd) | 625mW | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 配置 | - |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥3/个 |
| 10+ | ¥2.37/个 |
| 30+ | ¥2.1/个 |
| 100+ | ¥1.76/个 |
| 500+ | ¥1.61/个 |
| 1000+ | ¥1.52/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.3984
10000 PCS/盘
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