射基极击穿电压(Vebo):6V,工作温度:-,晶体管类型:NPN,特征频率(fT):330MHz,直流电流增益(hFE):200@500mA,2V,耗散功率(Pd):1W,集射极击穿电压(Vceo):50V,集射极饱和电压(VCE(sat)):160mV,集电极截止电流(Icbo):100nA,集电极电流(Ic):8A
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 三极管(BJT) | |
射基极击穿电压(Vebo) | 6V | |
工作温度 | - | |
晶体管类型 | NPN | |
特征频率(fT) | 330MHz | |
直流电流增益(hFE) | 200@500mA,2V | |
耗散功率(Pd) | 1W | |
集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
集射极饱和电压(VCE(sat)) | 160mV | |
集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
集电极电流(Ic) | 8A |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥7.72/个 |
10+ | ¥6.32/个 |
30+ | ¥5.56/个 |
100+ | ¥4.69/个 |
700+ | ¥4.3/个 |
1400+ | ¥4.13/个 |
整盘
单价
整盘单价¥4.115
700 PCS/盘
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