温馨提示：图片仅供参考，商品以实物为准
J112-D26Z
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- J112-D26Z
- 商品编号
- C900944
- 商品封装
- TO-92-3L
- 商品毛重
- 0.001千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
FET类型:N沟道,反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):50Ω,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅源击穿电压(Vgss):35V,栅源截止电压(VGS(off)):1V,漏源电流(Idss):5mA,耗散功率(Pd):625mW,输入电容(Ciss):-,输出电容(Coss):-,配置:-
找到类似商品：0 种查看类似商品
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| FET类型 | N沟道 | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50Ω | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | 35V | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | 1V | |
| 漏源电流(Idss) | 5mA | |
| 耗散功率(Pd) | 625mW | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 配置 | - |
数据手册PDF
放大查看阶梯价格(含税价)
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥3.06/个 |
| 10+ | ¥2.37/个 |
| 30+ | ¥2.08/个 |
| 100+ | ¥1.71/个 |
| 500+ | ¥1.55/个 |
| 1000+ | ¥1.45/个 |
嘉立创SMT补贴
整盘
单价
整盘单价¥1.445
2000 PCS/盘
省
嘉立创补贴0.34%
一盘能省掉10元
库存总量
21 PCS电话
顶部
元器件购物车