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J112-D27Z
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- J112-D27Z
- 商品编号
- C900945
- 商品封装
- TO-92-3L
- 商品毛重
- 0.000311千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
FET类型:-,反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):50Ω,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅源击穿电压(Vgss):35V,栅源截止电压(VGS(off)):1V,漏源电流(Idss):5mA,耗散功率(Pd):625mW,输入电容(Ciss):-,输出电容(Coss):-,配置:-
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| FET类型 | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50Ω | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | 35V | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | 1V | |
| 漏源电流(Idss) | 5mA | |
| 耗散功率(Pd) | 625mW | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 配置 | - |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.251/个 |
| 50+ | ¥1.803/个 |
| 150+ | ¥1.611/个 |
| 500+ | ¥1.371/个 |
| 2000+ | ¥1.264/个 |
| 4000+ | ¥1.2/个 |
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单价
整盘单价¥1.16288
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