射基极击穿电压(Vebo):5V,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个NPN,晶体管类型:NPN,特征频率(fT):100MHz,直流电流增益(hFE):120@100mA,1V,耗散功率(Pd):0.3W,集射极击穿电压(Vceo):25V,集射极饱和电压(VCE(sat)):500mV,集电极截止电流(Icbo):100nA,集电极电流(Ic):1.5A
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 三极管(BJT) | |
射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
数量 | 1个NPN | |
晶体管类型 | NPN | |
特征频率(fT) | 100MHz | |
直流电流增益(hFE) | 120@100mA,1V | |
耗散功率(Pd) | 0.3W | |
集射极击穿电压(Vceo) | 25V | |
集射极饱和电压(VCE(sat)) | 500mV | |
集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
集电极电流(Ic) | 1.5A |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.157/个 |
200+ | ¥0.124/个 |
600+ | ¥0.106/个 |
3000+ | ¥0.0822/个 |
9000+ | ¥0.0726/个 |
21000+ | ¥0.0675/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.07562
3000 PCS/盘
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