反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):18mΩ@10V,9.3A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):27nC@4.5V,漏源电压(Vdss):30V,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):1W,输入电容(Ciss):1958pF@10V,连续漏极电流(Id):5.6A,连续漏极电流(Id):9.3A,阈值电压(Vgs(th)):3V
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | - | |
导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V,9.3A | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 27nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
耗散功率(Pd) | 1W | |
输入电容(Ciss) | 1958pF@10V | |
连续漏极电流(Id) | 5.6A | |
连续漏极电流(Id) | 9.3A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V |