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FDS5680
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- FDS5680
- 商品编号
- C903626
- 商品封装
- SO-8
- 商品毛重
- 0.000211千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):20mΩ@10V,8A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):42nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):2.5W,输入电容(Ciss):1850pF@15V,连续漏极电流(Id):8A,阈值电压(Vgs(th)):4V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V,8A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 输入电容(Ciss) | 1850pF@15V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
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