温馨提示：图片仅供参考，商品以实物为准
NJVMJD112T4G
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- NJVMJD112T4G
- 商品编号
- C904718
- 商品封装
- DPAK
- 商品毛重
- 0.000494千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
工作温度:-65℃~+150℃@(Tj),特征频率(fT):25MHz,直流电流增益(hFE):1000,类型:NPN,耗散功率(Pd):20W,集射极击穿电压(Vceo):100V,集射极饱和电压(VCE(sat)):3V,集电极截止电流(Icbo):20uA,集电极电流(Ic):2A
找到类似商品：0 种查看类似商品
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 达林顿管 | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃@(Tj) | |
| 特征频率(fT) | 25MHz | |
| 直流电流增益(hFE) | 1000 | |
| 类型 | NPN | |
| 耗散功率(Pd) | 20W | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 100V | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 3V | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 20uA | |
| 集电极电流(Ic) | 2A |
数据手册PDF
放大查看预订参考价
1.85 / PCS库存总量
0 PCS电话
顶部
元器件购物车