导通电阻(RDS(on)):55mΩ@10V,4.2A,数量:1个P沟道,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):1.2W,连续漏极电流(Id):4.2A,阈值电压(Vgs(th)):1.3V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@10V,4.2A | |
数量 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
耗散功率(Pd) | 1.2W | |
连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.321/个 |
100+ | ¥0.266/个 |
300+ | ¥0.239/个 |
3000+ | ¥0.218/个 |
6000+ | ¥0.202/个 |
9000+ | ¥0.194/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.20056
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