反向传输电容(Crss):3pF@50V,导通电阻(RDS(on)):0.28Ω@10V,6A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):27nC@10V,漏源电压(Vdss):500V,耗散功率(Pd):90W,输入电容(Ciss):816pF@50V,连续漏极电流(Id):12A,阈值电压(Vgs(th)):2V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 3pF@50V | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.28Ω@10V,6A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 27nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 500V | |
耗散功率(Pd) | 90W | |
输入电容(Ciss) | 816pF@50V | |
连续漏极电流(Id) | 12A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥6.94/个 |
10+ | ¥5.77/个 |
50+ | ¥5.12/个 |
100+ | ¥4.39/个 |
500+ | ¥4.07/个 |
1000+ | ¥3.92/个 |
整盘
单价
整盘单价¥4.7104
50 PCS/盘
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