导通电阻(RDS(on)):5Ω@10V,500mA,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):-,连续漏极电流(Id):200mA,阈值电压(Vgs(th)):3V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 5Ω@10V,500mA | |
数量 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
耗散功率(Pd) | - | |
连续漏极电流(Id) | 200mA | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.223/个 |
200+ | ¥0.175/个 |
1000+ | ¥0.143/个 |
2000+ | ¥0.127/个 |
10000+ | ¥0.113/个 |
20000+ | ¥0.105/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.13156
1000 PCS/盘
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