反向传输电容(Crss):140pF,导通电阻(RDS(on)):41mΩ@4.5V,5A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):750mW,输入电容(Ciss):500pF,输出电容(Coss):300pF,连续漏极电流(Id):4.9A,阈值电压(Vgs(th)):0.6V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 41mΩ@4.5V,5A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 750mW | |
| 输入电容(Ciss) | 500pF | |
| 输出电容(Coss) | 300pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.9A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 0.6V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.229/个 |
| 100+ | ¥0.198/个 |
| 300+ | ¥0.183/个 |
| 3000+ | ¥0.171/个 |
| 6000+ | ¥0.162/个 |
| 9000+ | ¥0.157/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.15732
3000 PCS/盘
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