导通电阻(RDS(on)):41mΩ@4.5V,5A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):750mW,连续漏极电流(Id):4.9A,阈值电压(Vgs(th)):-
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 41mΩ@4.5V,5A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
耗散功率(Pd) | 750mW | |
连续漏极电流(Id) | 4.9A | |
阈值电压(Vgs(th)) | - |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.292/个 |
100+ | ¥0.227/个 |
300+ | ¥0.195/个 |
3000+ | ¥0.171/个 |
6000+ | ¥0.152/个 |
9000+ | ¥0.142/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.15732
3000 PCS/盘
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