写周期时间(Tw):-,块擦除时间(tBE):3ms,存储容量:1Gbit,工作温度:-40℃~+85℃,工作电压:3V~3.6V,接口类型:SPI,数据保留 - TDR(年):-,数据保留 - TDR(年):10年,时钟频率(fc):80MHz,页写入时间(Tpp):600us
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 写周期时间(Tw) | - | |
| 块擦除时间(tBE) | 3ms | |
| 存储容量 | 1Gbit | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电压 | 3V~3.6V | |
| 接口类型 | SPI | |
| 数据保留 - TDR(年) | - | |
| 数据保留 - TDR(年) | 10年 | |
| 时钟频率(fc) | 80MHz | |
| 页写入时间(Tpp) | 600us |