反向传输电容(Crss):5pF,导通电阻(RDS(on)):1.7Ω@5V,50mA,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):200mW,输入电容(Ciss):50pF,连续漏极电流(Id):115mA,阈值电压(Vgs(th)):2.5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.7Ω@5V,50mA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 115mA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.0515/个 |
| 500+ | ¥0.0369/个 |
| 3000+ | ¥0.0362/个 |
| 6000+ | ¥0.0313/个 |
| 24000+ | ¥0.0293/个 |
| 45000+ | ¥0.028/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.0333
3000 PCS/盘
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