反向传输电容(Crss):525pF@30V,导通电阻(RDS(on)):15mΩ@10V,30A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):167nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):300W,输入电容(Ciss):6100pF@30V,连续漏极电流(Id):50A,阈值电压(Vgs(th)):4V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 525pF@30V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V,30A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 167nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 输入电容(Ciss) | 6100pF@30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.494/个 |
| 50+ | ¥0.387/个 |
| 150+ | ¥0.333/个 |
| 500+ | ¥0.293/个 |
| 2500+ | ¥0.26/个 |
| 5000+ | ¥0.244/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.26
2500 PCS/盘