反向传输电容(Crss):13.2pF@25V,导通电阻(RDS(on)):-,工作温度:-50℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):29.3nC@1200V,漏源电压(Vdss):1500V,耗散功率(Pd):140W,输入电容(Ciss):939pF@25V,连续漏极电流(Id):2.5A,阈值电压(Vgs(th)):4V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 13.2pF@25V | |
导通电阻(RDS(on)) | - | |
工作温度 | -50℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 29.3nC@1200V | |
漏源电压(Vdss) | 1500V | |
耗散功率(Pd) | 140W | |
输入电容(Ciss) | 939pF@25V | |
连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥12.57/个 |
10+ | ¥10.63/个 |
30+ | ¥9.41/个 |
100+ | ¥8.17/个 |
500+ | ¥7.61/个 |
1000+ | ¥7.37/个 |
2000+ | ¥7.27/个 |
4000+ | ¥7.21/个 |
整盘
单价
整盘单价¥8.6572
30 PCS/盘
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